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在工作组会议上介绍和讨论的EUVL的技术方面在这一章节将详细说明。以下三个部分专门讨论EUV光源模块（第2.1节至第2.3节）。然后，讨论了与EUV光相互作用的表征组件的现状和需求（第2.4节）。第2.4节中与EUV光相互作用的两个组件都与第2.1节到第2.3节有技术研究联系。最后，介绍了EUV光如...
EUV光刻技术背景EUVL是制造下一代半导体芯片的关键步骤。EUV光是由高纯度锡产生的高温等离子体产生的。固体锡在液滴发生器内熔化，该仪器在真空室中每分钟连续产生超过300万个27µm的液滴。平均功率为25kW的二氧化碳（CO2）激光器用两个连续脉冲照射锡液滴，分别使液滴成形并电离。最初，产生了数千...
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